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產(chǎn)品中心Product
PQFN8*9 產(chǎn)品介紹

PQFN IPM基于高效率、超緊湊和高度集成的PQFN封裝,采用PCB銅箔散熱,省掉了外部散熱器。同時(shí)也提供了一個(gè)新的基準(zhǔn),在尺寸上可與任何同類競(jìng)爭(zhēng)解決方案相匹敵。主要適用于吹風(fēng)筒等空間要求苛刻的應(yīng)用,功率范圍為100W以下。


PQFN8*9 IPM特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì):

  • 其它封裝模塊在PCB散熱方面較差,而耗散功率的唯一方法是通過(guò)一個(gè)外部散熱器實(shí)現(xiàn),但這卻增加了成本并帶來(lái)了振蕩和其它的物理壓力;
  • PQFN IPM電流能力還取決于PCB設(shè)計(jì),特別是銅板厚度、銅盤(pán)區(qū)域和層數(shù),并最終取決于最大可允許的PCB溫度;
  • 尤其適用于空間、面積小的應(yīng)用,替代傳統(tǒng)小功率方案,不需要散熱器;
  • 半橋結(jié)構(gòu),應(yīng)用更靈活;
PQFN8*9
產(chǎn)品參數(shù)
封裝形式 產(chǎn)品型號(hào)

電壓
(V)

電流
(A)

絕緣耐壓
(KV)

優(yōu)化開(kāi)關(guān)
(KHz)

器件

推薦功率
(W)

熱接口

自舉
二極管

欠壓
保護(hù)

過(guò)流
保護(hù)

溫度
輸出

互鎖

RDS(on)(Typ)
(Ω)
VCE
(SAT)(Typ)
(V)

VF
(Typ)
(V)

Rth
(j-c)(Max)
(℃/W)

PQFN8*9 XNM03H54D5 500 3 1.5 20 MOSFET 50 PCB 3 1.5 1.6
XNM05H54D5 500 5 1.5 20 MOSFET 120 PCB 1.6 1.5 1.25
XNS04H54D6 600 4 1.5 20 IGBT 60 PCB 2.4 1.3 2
XNS06H54D6 600 6 1.5 20 IGBT 150 PCB 2.1 1.4 1.3